中芯國(guó)際表示，截至今年9月30 日的Q3營(yíng)收的年增指引將由原先預(yù)估的 1%-3%上修為 14%-16%；毛利率由原先預(yù)估的19%-21% 上修至 23%-25%，主要是因?yàn)楫a(chǎn)品組合的變化和其他業(yè)務(wù)收入成長(zhǎng)所帶動(dòng)。

中芯國(guó)際上調(diào)Q3財(cái)報(bào)預(yù)期后，營(yíng)收將有望在9.3億美元至9.5億美元之間，較Q2營(yíng)收的9.38億美元將進(jìn)一步環(huán)比增長(zhǎng)，毛利率將上看26%。

8吋晶圓漲價(jià)，產(chǎn)能吃緊將延續(xù)至2021年，中芯國(guó)際產(chǎn)能供不應(yīng)求

自Q3季度以來(lái)，由于電源管理芯片、功率器件、顯示面板驅(qū)動(dòng)IC，以及CMOS圖像傳感器等需求強(qiáng)勁，再加上世界先進(jìn)、聯(lián)電、中芯國(guó)際等新增產(chǎn)能有限，使得全球市場(chǎng)的8吋晶圓代工產(chǎn)能都供不應(yīng)求，原本旺宏欲淘汰6吋晶圓代工廠，工廠現(xiàn)已延到2021年3月停產(chǎn)。

據(jù)市場(chǎng)消息稱，因?yàn)?G 相關(guān)應(yīng)用起飛后，第3季度8 吋晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求，0.18 微米和 0.15 微米成熟工藝的需求缺口特別大，且客戶在市場(chǎng)上的獲利水平很高，市場(chǎng)已率先掀起漲價(jià)潮，包括聯(lián)電的0.18微米制程、世界先進(jìn)的0.15微米細(xì)線寬制程，視客戶實(shí)際訂單情況，將全面調(diào)漲第4季8吋晶圓代工價(jià)格。

據(jù)中芯國(guó)際Q2財(cái)報(bào)顯示，晶圓代工業(yè)務(wù)主要占據(jù)了公司90%以上的份額，其中0.15~0.18微米制程營(yíng)收占比為33%，200mm（8吋）產(chǎn)能大約占據(jù)49%，晶圓利用率已達(dá)到了98%以上。顯然8吋晶圓代工漲價(jià)，是中芯Q3業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力之一。

由于8吋晶圓代工產(chǎn)能吃緊，現(xiàn)在的產(chǎn)品交期已自過(guò)去的2至3個(gè)月延長(zhǎng)到4個(gè)月，但客戶依舊排隊(duì)爭(zhēng)搶產(chǎn)能，也因?yàn)榫A代工價(jià)格調(diào)漲，部分零組件廠商將跟進(jìn)調(diào)漲面板驅(qū)動(dòng)及觸控整合單芯片（IDC）等產(chǎn)品售價(jià)，預(yù)計(jì)這種產(chǎn)能吃緊情況將延續(xù)至2021年。

客戶提高安全庫(kù)存，積極“備貨”效應(yīng)，促使中芯國(guó)際訂單量增

受益于影像傳感器CIS、電源管理芯片PMIC、指紋識(shí)別芯片、藍(lán)牙芯片、特殊型存儲(chǔ)芯片等應(yīng)用需求快速增長(zhǎng)，8吋晶圓訂單火爆。“疫情”、國(guó)際貿(mào)易關(guān)系緊張等導(dǎo)致的不確定因素，客戶都提前下單保證一定的安全庫(kù)存水位，尤其是來(lái)自中國(guó)大陸的客戶的拉貨力度最為明顯。

根據(jù)中芯國(guó)際Q2財(cái)報(bào)，中國(guó)內(nèi)地及香港市場(chǎng)占比達(dá)到66.1%，美國(guó)市場(chǎng)營(yíng)收占比為21.6%，是重要的兩大市場(chǎng)；中芯國(guó)際前2大重要客戶分別占總銷售額的18.9%和13%，其中華為海思、高通、博通都是主要客戶。

由于美國(guó)方面之前對(duì)華為的限制，使得大部分產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)選擇采購(gòu)大量的芯片做為庫(kù)存，以應(yīng)對(duì)可能發(fā)生的危機(jī)，這也促使了中芯國(guó)際Q3整體訂單量增加，甚至出現(xiàn)訂單排擠效應(yīng)。不過(guò)，因?yàn)樵饷绹?guó)出口限制，以及客戶轉(zhuǎn)單等，中芯國(guó)際Q4業(yè)務(wù)將會(huì)受到影響。

為了滿足市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的需求，中芯國(guó)際已經(jīng)著手進(jìn)行大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，8 吋晶圓方面，預(yù)計(jì)在天津、上海、深圳三個(gè)生產(chǎn)基地增加 3 萬(wàn)片/月的產(chǎn)能。在12寸晶圓方面，中芯國(guó)際產(chǎn)能已超過(guò)了50%，正在積極的持續(xù)拓展手機(jī)、汽車(chē)、消費(fèi)電子應(yīng)用，預(yù)計(jì)今年內(nèi)增加2萬(wàn)片/月產(chǎn)能。 

另外，中芯國(guó)際還與北京開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)簽訂合作框架協(xié)議，將成立合資企業(yè)聚焦在 28nm 及以上晶圓代工項(xiàng)目，首期即計(jì)劃建成 10 萬(wàn)片/月(以 12 吋片計(jì)算) 的晶圓產(chǎn)能，為后續(xù)業(yè)績(jī)成長(zhǎng)增加了動(dòng)力。

技術(shù)是核心競(jìng)爭(zhēng)力，中芯國(guó)際第二代先進(jìn)工藝（N＋1）進(jìn)展順利

中芯國(guó)際是全球排名第五大晶圓代工廠商，在技術(shù)方面，第二代先進(jìn)工藝（N＋1）進(jìn)展順利，9月下旬第二代FinFET N＋1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，有望于2020年底小批量試產(chǎn)。

中芯國(guó)際曾表示，下一代N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。在功率和穩(wěn)定性方面，N+1代工藝和7nm工藝非常相似，區(qū)別在于性能及成本方面，N+1工藝的提升較小，市場(chǎng)基準(zhǔn)的性能提升應(yīng)該是35%。所以，中芯國(guó)際的N+1工藝是面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域的。

不過(guò)，貿(mào)易緊張關(guān)系，是中芯國(guó)際將要面臨的最大難題。中芯國(guó)際最新公告稱，其部分供應(yīng)商收到美國(guó)出口管制規(guī)定的進(jìn)一步限制，現(xiàn)公司正在評(píng)估該出口限制對(duì)公司生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)的影響，并針對(duì)該出口限制，正在與美國(guó)方面展開(kāi)初步交流。

值得高興的是，ASML設(shè)備公司首席財(cái)務(wù)官在近日的財(cái)報(bào)視頻會(huì)議上也表示，向中國(guó)客戶出口DUV光刻機(jī)已經(jīng)無(wú)需申請(qǐng)出口許可證。目前中興國(guó)際的N＋1工藝就是建立在DUV光刻機(jī)的基礎(chǔ)之上，將助力中芯國(guó)際技術(shù)的突破。